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| − | 전계 유도 방향성 저온 결정화 | + | * 전계 유도 방향성 저온 결정화 Field Aided Lateral Crystallization(FALC) |
| − | + | * 산화물 박막 트랜지스터 Oxide Thin Film Transistor(TFT) | |
| − | + | * 투명전극 Transparent Conductive Electrode(TCE) | |
| − | + | * 나노 플로팅 게이트 메모리 Nano Floating Gate Memory(NFGM) | |
| − | Field Aided Lateral Crystallization(FALC) | + | * 저항 변화 메모리 Resistive Random-access memory(ReRam) |
| − | Oxide Thin Film Transistor(TFT) | ||
| − | Transparent Conductive Electrode(TCE) | ||
| − | Nano Floating Gate Memory(NFGM) | ||
| − | Resistive Random-access memory(ReRam) | ||
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2020년 11월 11일 (수) 14:37 판
서울캠퍼스 공과대학 신소재공학부 교수이자 박막전자재료 연구실장을 겸하고 있다.
- 연락처: 02-2220-0506 / duck@hanyang.ac.kr
학력
- 1983. 09 ~ 1988. 09 Stanford University Materials Science & Engineering 박사
- 1978. 03 ~ 1980. 02 한국과학원 재료공학과 석사
- 1974. 03 ~ 1978. 02 서울대학교 요업공학과 학사
경력
- 1990. 03 ~ 현재 한양대학교 신소재공학부 교수
- 1988. 10 ~ 1990. 02 Stanford Research Institute International 연구원
- 1984. 09 ~ 1988. 09 Stanford University, 재료공학과 연구조교
- 1981. 03 ~ 1983. 08 한국과학기술연구소 연구원
- 1980. 03 ~ 1981. 02 한국전자기술연구소 연구원
- 2018. 01 ~ 2019.12 한양대학교 교학부총장
연구관심분야
- 전계 유도 방향성 저온 결정화 Field Aided Lateral Crystallization(FALC)
- 산화물 박막 트랜지스터 Oxide Thin Film Transistor(TFT)
- 투명전극 Transparent Conductive Electrode(TCE)
- 나노 플로팅 게이트 메모리 Nano Floating Gate Memory(NFGM)
- 저항 변화 메모리 Resistive Random-access memory(ReRam)
