"차세대메모리산학연공동연구센터"의 두 판 사이의 차이

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*유형: 서울 부설기관
 
*유형: 서울 부설기관
*영문명: Industry/University Cooperative Research Center for Next Generation Memory Development
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*영문명: INDUSTRY/UNIVERSITY COOPERATIVE RESEARCH CENTER FOR NEXT GENERATION MEMORY DEVELOPMENT
 
*중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心
 
*중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心
 
*소장: [[박재근]] [[융합전자공학부]] 교수
 
*소장: [[박재근]] [[융합전자공학부]] 교수

2021년 2월 25일 (목) 11:37 기준 최신판

  • 소속: 서울 산학협력단 외부지정연구센터 차세대메모리산학연공동연구센터
  • 유형: 서울 부설기관
  • 영문명: INDUSTRY/UNIVERSITY COOPERATIVE RESEARCH CENTER FOR NEXT GENERATION MEMORY DEVELOPMENT
  • 중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心
  • 소장: 박재근 융합전자공학부 교수

개황

설립목적

전국의 12개 대학, 4개 출연연구소 기관의 연구원이 200여명이 참여하여 테라비트급 비휘발성 메모리 소자의 원천기술 개발과 IP 확보 하는 것이 목표

연혁

  • 2004. 8. 교육과학부 “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 수행 시작
  • 2005. 8. 주관부처 산업자원부로 변경
  • 2007. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 1단계 종료
  • 2009. 3. “30나노급 고집적 STT-MRAM 기술 개발” 시작
  • 2009. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 2단계 종료
  • 2011. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 3단계 종료
  • 2012. 9. “저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자지저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발” 수행 시작

학술행사

국제학술회의

  • 2010년 8월 26일 2010 International Symposium on Next Generation Terabit Memory Technology(Prof. Yoshio Nishi(Stanford University) 외 7인), 한양대학교 HIT 6층 대회의실
  • 2011년 5월 19일 2011 International Symposium on Next Generation Terabit Memory Technology(Dr. Luca Perniola(CEA-LETI) 외 7인), 한양대학교 HIT 6층 대회의실

워크샵

연구과제

학술지

  • 2010. 1월 Current Applied Physics, 2010 Volume 10, Issue 1, Supplement 1
  • 2011. 9월 Current Applied Physics, 2011 Volume 11, Issue 5, ISSN 1567-1739

기타 연구소 사업

  • 2009.11.26. 차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터 개소식, 한양대학교 FTC 빌딩 3층 현관

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