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*영문명: IndustryINDUSTRY/UNIVERSITY COOPERATIVE RESEARCH CENTER FOR NEXT GENERATION MEMORY DEVELOPMENT*중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心*소장: [[박재근]] [[융합전자공학부]] 교수=개황===설립목적==전국의 12개 대학, 4개 출연연구소 기관의 연구원이 200여명이 참여하여 테라비트급 비휘발성 메모리 소자의 원천기술 개발과 IP 확보 하는 것이 목표 ==연혁==* 2004. 8. 교육과학부 “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 수행 시작* 2005. 8. 주관부처 산업자원부로 변경* 2007. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 1단계 종료* 2009. 3. “30나노급 고집적 STT-MRAM 기술 개발” 시작* 2009. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 2단계 종료* 2011. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 3단계 종료* 2012. 9. “저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자지저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발” 수행 시작 =학술행사====국제학술회의===*2010년 8월 26일 2010 International Symposium on Next Generation Terabit Memory Technology(Prof. Yoshio Nishi(Stanford University Cooperative Research Center for ) 외 7인), 한양대학교 HIT 6층 대회의실*2011년 5월 19일 2011 International Symposium on Next Generation Terabit Memory DevelopmentTechnology(Dr. Luca Perniola(CEA-LETI) 외 7인), 한양대학교 HIT 6층 대회의실===워크샵===*[[차세대메모리산학연공동연구센터/워크샵]] 문서를 참고 =연구과제=*[[차세대메모리산학연공동연구센터/연구과제]] 문서를 참고=학술지=* 2010. 1월 Current Applied Physics, 2010 Volume 10, Issue 1, Supplement 1* 2011. 9월 Current Applied Physics, 2011 Volume 11, Issue 5, ISSN 1567-1739  =기타 연구소 사업=* 2009.11.26. 차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터 개소식, 한양대학교 FTC 빌딩 3층 현관 =관련 기사=