"차세대메모리산학연공동연구센터/연구과제"의 두 판 사이의 차이
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(새 문서: *2009.8.~ 2011.7 테라비트급 고집적 차세대비휘발성메모리기술개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 *2009.8.~ 2011.7 플렉서블 유기메모리 원...) |
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*2009.8.~ 2011.7 테라비트급 고집적 차세대비휘발성메모리기술개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | *2009.8.~ 2011.7 테라비트급 고집적 차세대비휘발성메모리기술개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | ||
*2009.8.~ 2011.7 플렉서블 유기메모리 원천기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | *2009.8.~ 2011.7 플렉서블 유기메모리 원천기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | ||
*2009.3~ 2012.2 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM 기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | *2009.3~ 2012.2 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM 기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | ||
*2012.8~ 2014.7 저전력 차세대메모리용 자기저항변화 (자기저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | *2012.8~ 2014.7 저전력 차세대메모리용 자기저항변화 (자기저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원 | ||
2020년 9월 17일 (목) 10:13 기준 최신판
차세대메모리산학연공동연구센터의 연구과제에 대한 문서이다.
- 2009.8.~ 2011.7 테라비트급 고집적 차세대비휘발성메모리기술개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원
- 2009.8.~ 2011.7 플렉서블 유기메모리 원천기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원
- 2009.3~ 2012.2 30nm급 수직자화형 고집적 STT-MRAM 기술 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원
- 2012.8~ 2014.7 저전력 차세대메모리용 자기저항변화 (자기저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발, 박재근, 한국산업기술평가관리원
