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| + | *소장: [[박재근]] [[융합전자공학부]] 교수 | ||
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| + | 전국의 12개 대학, 4개 출연연구소 기관의 연구원이 200여명이 참여하여 테라비트급 비휘발성 메모리 소자의 원천기술 개발과 IP 확보 하는 것이 목표 | ||
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| + | ==연혁== | ||
| + | * 2004. 8. 교육과학부 “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 수행 시작 | ||
| + | * 2005. 8. 주관부처 산업자원부로 변경 | ||
| + | * 2007. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 1단계 종료 | ||
| + | * 2009. 3. “30나노급 고집적 STT-MRAM 기술 개발” 시작 | ||
| + | * 2009. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 2단계 종료 | ||
| + | * 2011. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 3단계 종료 | ||
| + | * 2012. 9. “저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자지저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발” 수행 시작 | ||
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| + | * 2010. 1월 Current Applied Physics, 2010 Volume 10, Issue 1, Supplement 1 | ||
| + | * 2011. 9월 Current Applied Physics, 2011 Volume 11, Issue 5, ISSN 1567-1739 | ||
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| + | * 2009.11.26. 차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터 개소식, 한양대학교 FTC 빌딩 3층 현관 | ||
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2019년 10월 9일 (수) 13:06 판
- 소속: 서울 산학협력단 외부지정연구센터 차세대메모리산학연공동연구센터
- 유형: 서울 부설기관
- 영문명: Industry/University Cooperative Research Center for Next Generation Memory Development
- 중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心
- 소장: 박재근 융합전자공학부 교수
개황
설립목적
전국의 12개 대학, 4개 출연연구소 기관의 연구원이 200여명이 참여하여 테라비트급 비휘발성 메모리 소자의 원천기술 개발과 IP 확보 하는 것이 목표
연혁
- 2004. 8. 교육과학부 “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 수행 시작
- 2005. 8. 주관부처 산업자원부로 변경
- 2007. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 1단계 종료
- 2009. 3. “30나노급 고집적 STT-MRAM 기술 개발” 시작
- 2009. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 2단계 종료
- 2011. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 3단계 종료
- 2012. 9. “저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자지저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발” 수행 시작
학술행사
국내학술회의
워크샵
- 문서를 참고
연구과제
- 문서를 참고
학술지
- 2010. 1월 Current Applied Physics, 2010 Volume 10, Issue 1, Supplement 1
- 2011. 9월 Current Applied Physics, 2011 Volume 11, Issue 5, ISSN 1567-1739
기타 연구소 사업
- 2009.11.26. 차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터 개소식, 한양대학교 FTC 빌딩 3층 현관
