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→연구관심분야
*차세대 정보 전자 소재와 소자 개발 및 응용(투명 산화물 반도체 재료 및 소자, 투명 배선 재료 개발 및 응용, 유연 전자 소자향 보호막 재료 및 공정 개발, IT/BT/NT용 기능성 박막 재료/공정 개발)
*원자층 증착법을 통해 3차원 집적 공정이 가능한 초고이동도 유사 단결정 산화물 반도체 소재 개발<ref><뉴스H> 2023.07.12 [http://www.newshyu.com/news/articleView.html?idxno=1010652 한양대, 초고이동도 IGZO 반도체 소재 개발]</ref>
*#플라즈마 원자층 증착법 (PEALD)을 활용하여 ‘유사 단결정 구조의 IGZO 산화물 반도체 물질’을 단결정 성장 온도 (>1000oC) 대비 매우 낮은 온도 (200oC) 에서 성장시켰다. 이를 통해 제작된 산화물반도체(IGZO) 트랜지스터 소자는 세계 최고 수준의 전계 이동도 (> 100 cm2/Vs)를 가지면서도 열과 외부 전계에 대한 높은 소자 안정성을 보여주었다. 소비전력을 대폭 낮추면서도 초고해상도 구현이 가능한 것이다. 또한, 기존 물리적 증착법의 한계를 넘어 3차원 구조에서 90% 이상의 두께 및 조성 균일도를 확보하였다.
*#이번 연구는 산업통상자원부 산업기술혁신사업 및 삼성디스플레이의 지원을 받아 진행되었으며, 연구결과는 소재분야 세계적인 학술지인 「Small methods, (IF = 15.367)」에 6월 발표되었다.
*#해당 논문은 한양대 신소재공학과 김윤서 연구자 (박사과정)이 제 1저자, 삼성디스플레이 임준형 마스터가 공동교신저자로 참여했다.*초고이동도 유사 단결정 산화물 반도체(이하 IGZO) 소재 개발<ref><뉴스H> 2023.07.27 [http://www.newshyu.com/news/articleView.html?idxno=1010774 박진성 교수ㆍ김윤서 학생, 초고이동도 IGZO 반도체 소재 개발로 지평을 넓혀]</ref>*# 박진성 신소재공학부 교수가 이끄는 연구팀인 정보소재 및 전자소자 연구실이 초고이동도 유사 단결정 산화물 반도체(이하 IGZO) 소재 개발에 성공했다. 박 교수 연구팀의 김윤서(신소재공학부 석박사통합과정) 씨는 해당 연구의 제1 저자로 참여했다.
=담당과목=
[[분류:교수]]
[[분류:신소재공학부]]
<references />