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==연구==
=== 가우시안·시그모이드 활성화함수 전환 트랜지스터 개발 (2025)<ref><뉴스H> 2025.08.06 [https://cms.newshyu.com/news/articleView.html?idxno=1019673 한양대 유호천 교수팀, 가우시안·시그모이드 활성화함수 전환 트랜지스터 개발... AI 강화학습 성능 향상 기대]</ref> ===
* 게이트 전압 조절만으로 Gaussian(정규분포)과 Sigmoid(S자형) 두 가지 활성화 함수를 하나의 소자에서 구현하는 '가우시안-시그모이드 강화 트랜지스터(Gaussian-Sigmoid Reinforcement Transistor, GS-RT)'를 개발
* 성균관대학교 신원준 교수, 미국 일리노이 시카고대 Amit R. Trivedi 교수 연구팀과 공동 연구. 과학기술정보통신부·정보통신기획평가원(IITP)의 인공지능반도체 고급인재양성 사업 및 한국연구재단(NRF) 사업 등의 지원을 받아 수행
* 연구 성과는 재료·전자소자 분야 국제학술지 『Advanced Functional Materials』(IF: 19.0, JCR 상위 5%) 2025년 7월호에 게재. 해당 논문 “Gaussian-Sigmoid Reinforcement Transistors: Resolving Exploration-Exploitation Trade-Off Through Gate Voltage-Controlled Activation Functions”에는 유호천 교수 연구실 박지수 석사과정생이 제1저자, 서주형 박사과정생이 공동 제1저자로 참여했고, 유호천 교수가 교신저자로 참여
===세계 최초 ‘분리·재사용 가능한 유기 전해질 트랜지스터’ 개발 (2025)===
*연구 성과는 재료 및 전자소자 분야 최상위 국제학술지인 『Advanced Materials』 (IF 26.8, JCR 상위 2.2%) 2025년 6월호에 정식 게재. 해당 논문 “Detachable and Reusable: Reinforced π‐Ion Film for Modular Synaptic Reservoir Computing”에는 한양대 이원우 석박사통합과정생이 제1저자, 한양대 유호천 교수와 부경대 이은광 교수가 교신저자로 참여
=== 고잡음 기반 진성 난수 발생 트랜지스터 소자 개발 (2025) ===
* 두 개의 이종접합 계면에서 발생하는 전기적 잡음의 중첩 현상을 활용해 예측 불가능한 무작위 진성 난수(True Random Number)를 생성할 수 있는 ‘단일 트랜지스터 기반 진성 난수 발생기’를 개발* 개발된 소자는 특정 전압 구간에서 입력 전압이 증가해도 전류가 감소하는 현상인 ‘음의 차동 트랜스컨덕턴스 (Negative Transconductance, NTC)’ 소자 특성을 활용해 기존의 난수 생성기보다 훨씬 단순한 구조와 높은 에너지 효율을 갖췄으며, AI 반도체와 보안 분야 등 다양한 차세대 컴퓨팅 기술에 활용될 것으로 기대됨* 전자 주입 강화와 NTC 트랜지스터 특성 개선을 통해 3진법 논리 회로에서 세 가지 출력 상태를 명확히 구분할 수 있게 했으며, 이를 통해 디지털 연산의 정확도와 안정성도 크게 향상* 과학기술정보통신부 및 정보통신기획평가원의 정보통신방송혁신인재양성(인공지능반도체고급인재양성) 사업의 지원을 받아 수행* 연구 성과는 재료 및 전자소자 분야 최상위 국제 학술지인 『Advanced Materials』 (IF: 26.8, JCR 상위 2.2%) 6월호에 게재. 해당 논문 “Heterojunction-Driven Stochasticity: Bi-Heterojunction Noise-Enhanced Negative Transconductance Transistor in Image Generation”에는 한양대 한영민 박사과정생이 제1저자, 송재찬 석박통합과정생이 공동 제1저자로, 유호천 교수가 교신저자로 참여
==교내 언론==