차세대메모리산학연공동연구센터

• 소속: 서울 산학협력단 외부지정연구센터 차세대메모리산학연공동연구센터

• 유형: 서울 부설기관
• 영문명: Industry/University Cooperative Research Center for Next Generation Memory Development
• 중문명: 新一代存储器产学研共同研究中心
• 소장: 박재근 융합전자공학부 교수

개황

설립목적

전국의 12개 대학, 4개 출연연구소 기관의 연구원이 200여명이 참여하여 테라비트급 비휘발성 메모리 소자의 원천기술 개발과 IP 확보 하는 것이 목표

연혁

• 2004. 8. 교육과학부 “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 수행 시작
• 2005. 8. 주관부처 산업자원부로 변경
• 2007. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 1단계 종료
• 2009. 3. “30나노급 고집적 STT-MRAM 기술 개발” 시작
• 2009. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 2단계 종료
• 2011. 7. “0.1 테라비트급 PRAM, NFGM, PoRAM, ReRAM 개발사업” 3단계 종료
• 2012. 9. “저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자지저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발” 수행 시작

학술행사

워크샵

• 문서를 참고

연구과제

• 문서를 참고

학술지

• 2010. 1월 Current Applied Physics, 2010 Volume 10, Issue 1, Supplement 1
• 2011. 9월 Current Applied Physics, 2011 Volume 11, Issue 5, ISSN 1567-1739

기타 연구소 사업

• 2009.11.26. 차세대 메모리 산·학·연 공동연구센터 개소식, 한양대학교 FTC 빌딩 3층 현관