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*차세대 비휘발성 메모리소자 개발*구체적 내용**상하 전극 사이에 나노 복합체를 사용하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 소자 특성 및 전하수송 메카니즘을 규명하였다. 그래핀을 사용한 플렉서블 메모리 소자를 제작하였으며 차세대 비휘발성 메모리 소자에 대한 원천기술을 확보하였다.**두 전극 사이에 나노 복합체를 사용하여 저항 형태의 차세대 비휘발성 메모리 소자를 개발하였다. 나노 복합체에 존재하는 다양한 무기물 나노 입자의 전하 포획 여부에 따라 소자의 전기 전도도가 변화하기 때문에, 변화된 전도도를 이용하여 정보를 저장 및 소거하는 새로운 개념의 비휘발성 메모리 소자를 구현하였다. 이와 더불어 제작된 소자의 정보저장 시간이 장시간 지속됨을 관측함으로써 상용화의 가능성을 제시하였다. 또한 소자의 메모리 효과와 전하수송 메카니즘을 세계 최초로 규명하여 소자 성능 향상 연구의 기초자료를 제공하였다. 특히 플렉서블 기판 위에 그래핀을 포함한 나노 복합체를 사용하여 플렉서블 비휘발성 메모리 소자를 개발하여 전하수송 메카니즘을 규명하였다. 이 연구결과는 플렉서블 디스플레이 소자와 결합하여 차세대 인간친화형 플렉서블 유비쿼터스 기기 제작에 필요한 융합 기술의 초석이 된다.**비휘발성 메모리 소자에 대한 연구 결과를 Nano Letters에 논문으로 발표하였으며, 이와 관련된 원천기술을 다수의 특허로 국내외에 출원 및 등록하였다.**차세대 플렉서블 비휘발성 메모리 소자에 대한 NT/IT 융합 원천 기술을 확보하였으며 NT/IT/BT 분야의 기초지식을 축적하였다. 특허를 대기업에 기술 이전하여 국가 경제 발전에 상당히 기여하였다.