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=== 가우시안·시그모이드 활성화함수 전환 트랜지스터 개발 (2025)<ref><뉴스H> 2025.08.06 [https://cms.newshyu.com/news/articleView.html?idxno=1019673 한양대 유호천 교수팀, 가우시안·시그모이드 활성화함수 전환 트랜지스터 개발... AI 강화학습 성능 향상 기대]</ref> ===

* 게이트 전압 조절만으로 Gaussian(정규분포)과 Sigmoid(S자형) 두 가지 활성화 함수를 하나의 소자에서 구현하는 '가우시안-시그모이드 강화 트랜지스터(Gaussian-Sigmoid Reinforcement Transistor, GS-RT)'를 개발* 성균관대학교 신원준 교수, 미국 일리노이 시카고대 Amit R. Trivedi 교수 연구팀과 공동 연구. 과학기술정보통신부·정보통신기획평가원(IITP)의 인공지능반도체 고급인재양성 사업 및 한국연구재단(NRF) 사업 등의 지원을 받아 수행* 연구 성과는 재료·전자소자 분야 국제학술지 『Advanced Functional Materials』(IF: 19.0, JCR 상위 5%) 2025년 7월호에 게재. 해당 논문 “Gaussian-Sigmoid Reinforcement Transistors: Resolving Exploration-Exploitation Trade-Off Through Gate Voltage-Controlled Activation Functions”에는 유호천 교수 연구실 박지수 석사과정생이 제1저자, 서주형 박사과정생이 공동 제1저자로 참여했고, 유호천 교수가 교신저자로 참여

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