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* 해당 성과는 단순히 3D NAND Flash 셀에서 고이동도 채널을 확보하는 수준을 넘어, 수직 3차원 트랜지스터 채널에 산화물 반도체를 접목해 저전력·고성능 소자를 구현할 수 있는 기반 기술을 마련한 것. 향후 고성능 선택소자와 로직 소자 개발로까지 확장될 수 있으며, 차세대 3차원 반도체의 핵심 기술로 자리 잡아 고집적·초고속·저전력 메모리 및 파운더리 산업 발전에 크게 기여할 것으로 기대됨.
* 해당 논문 「Enhanced Device Characteristics of Hybrid-Channel (Poly-Si/IGO) Structures with Ga2O3andAl2O3Interlayersby Suppressing Oxidation-Induced Variabilityfor Ultra-High-Density 3D NAND Flash Memory Applications」에는 한양대 황태원 박사과정생(신소재공학부)과 신정민 석사과정생(융합전자공학부)이 공동 제1저자로, 송윤흡 교수와 박진성 교수가 공동 교신저자로 참여.
== ALD 기반 산화물 반도체로 차세대 메모리 아키텍처 해법 제시(2026.01)<ref><뉴스H> 2026.03.03 [https://cms.newshyu.com/news/userWriterArticleView.html?idxno=1023075 한양대 박진성 교수팀-imec, ALD 기반 산화물 반도체로 차세대 메모리 해법 제시]</ref> ==
* 3D 수직 적층 구조로 전환되는 차세대 메모리 환경에서, 고종횡비 구조에도 균일한 박막 형성이 가능한 ALD(원자층 증착) 기반 산화물 반도체의 기술적 가능성을 제시함.
*연구팀은 △구성 원소 선택 △결정 구조 △원자층 구조 △불순물 제어의 네 가지 핵심 전략을 정리하고, ALD 공정이 이를 정밀하게 구현할 수 있는 현실적 대안임을 강조함.
* 산화물 반도체의 낮은 누설 전류 특성은 저전력·고집적 메모리 구현에 유리하며, 데이터센터·AI 가속기용 메모리 확장 가능성을 보여줌.
* 해당 논문에는 한양대 박진성 교수와 imec 김윤서 박사가 공동 교신저자로 참여했으며, 연구 결과는 『Nano-Micro Letters』(IF 36.3)에 게재됨.
=담당과목=
