최창환

서울 공과대학 신소재공학부 교수이자 나노전자소자 및 재료연구실장을 겸하고 있다.

• 연락처: 02-2220-0383 / cchoi@hanyang.ac.kr
• 홈페이지: http://nedml.campushomepage.com/frontpage.asp?catalogid=nedml&language=ko

학력

• 2003.01 ~ 2006.05 Texas 주립 대학교, 전기 및 컴퓨터공학 공학박사
• 2001.01 ~ 2002.12 Texas 주립 대학교, 재료공학 공학석사
• 1994.03 ~ 2000.02 한양대학교, 재료공학 공학사

경력

• 2010.03 ~ 현재 한양대학교 신소재공학부, 교수, 학부장
• 2020.09 ~ 현재 한양대학교 산업소재기술 연구소, 소장
• 2016.02 ~ 2017.02 차세대반도체연구소 스핀소자연구단, 한국과학기술연구원, 방문연구교수
• 2006.01 ~ 2010.02 IBM Thomas J. Watson 연구소, 연구원
• 2005.05 ~ 2005.09 프리스케일 반도체 (전 모토롤라 반도체), Academic contractor
• 2001.01 ~ 2005.12 마이크로전자소자 연구소, Texas 주립 대학교, 연구조교
• 2000.08 ~ 2000.12 재료연구소, 위스콘신 주립 대학교, 연구조교

연구관심분야

• 차세대 반도체 소자, 재료, 공정 기술 개발 및 응용

주요연구

차세대 AI 반도체용 초정밀 다중 문턱전압 제어 기술 개발

• 최창환 신소재공학부 교수 연구팀은 차세대 AI 반도체의 성능과 전력 효율을 높일 수 있는 초정밀 다중 문턱전압(multi-Vt) 제어 기술을 개발
• 희토류 기반 쌍극자(Dipole)를 활용한 ‘IGD(Imprinted Gadolinium Dipole)’ 기술을 제안해 원자층 수준에서 게이트 스택 계면을 제어
• 기존 기술 대비 약 4배 정밀한 문턱전압 조절 능력을 보였으며, 누설전류를 10배 이상 감소시킴
• 연구 성과는 ‘IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits 2026’에서 발표됐으며, 제1저자 한상국 박사과정생은 우수 학생 논문상 후보에 지명됨

강유전체소재개발

3차원 플래시 메모리 소자의 다치화 가능한 강유전체 신소재 개발(2020.06)

학회활동

• 2010.09 ~ 현재 한국재료학회, 종신회원/학술이사
• 2010.03 ~ 현재 대한금속재료학회, 종신학원/학술이사
• 2019.03 ~ 현재 한국마이크로전자 및 패키징 학회, 종신회원/편집이사
• 2011.01 ~ 현재 한국반도체학술대회, 박막 분과위원
• 2017.03 ~ 현재 대한전자공학회, 종신회원
• 2018.03 ~ 현재 나노기술연구협의회, 학술위원
• 2008.05 ~ 현재 미국재료학회, 정회원
• 2006.01 ~ 현재 국제전기전자협회, 정회원
• 2006.07 ~ 현재 재미한인과학자협회, 회원

담당과목

• 학부: 전자소자재료 I,II, 반도체공정, 재료과학
• 대학원: 반도체소자물리, 전자재료공정, 나노반도체재료

관련 기사

교내언론

• 2020.06.30 <뉴스H> 최창환 교수팀, 3차원 플래시 메모리 소자의 다치화 가능한 강유전체 신소재 개발
• <뉴스H> 2026.06.22 한양대 최창환 교수 연구팀, 차세대 AI 반도체 핵심 ‘초정밀 다중 문턱전압 제어 기술’ 개발

대외언론

• 2020.06.29 <전자신문> 강유전체 신소재 개발에 대한 코멘트 [1]